FETtranzisztorból működési elve
Közül a több félvezető eszközök kell jegyezni FET, a működési elve azon alapul, alapvető mozgó töltéshordozók az azonos típusú. Az áramlás a töltést szabályozza keresztirányú elektromos mező. A forrás mező a feszültség bármelyike tranzisztor elektródák. Az ilyen elektródot kapott további cím exponáló.
Mivel az azonos típusú mozgó töltésekre elektronok vagy lyukak vannak az úgynevezett unipoláris FET, ellentétben a bipoláris eszközök. Lehet, hogy az irányítást a pn átmenet vagy szigetelt kapu. Az alapvető paraméterek, amely az eszköz bemeneti és a belső (kimeneti) impedancia, és a cut-off feszültség és más jellemzők.
Térvezérlésű tranzisztorok vezérlő pn átmenetet
Ez a készülék tartalmaz egy félvezető lapka, amelyek telepített végein a forrás és a nyelő elektród. Ez a részvételüket csatlakoztatja a készüléket a menedzselt hálózati. Vegyület, a kontroll hálózati végezzük a harmadik elektródot eljárva, mint egy kapu. Mivel a harmadik elektród lemez és a különböző vezetési típusú, akkor ennek köszönhetően, és képez pn átmenetet.
A áramforrás szerepel a bemeneti áramkör, a p-n átmenet fordított feszültség keletkezik. Amellett, hogy a bemeneti áramkör a csatlakozás a forrása az amplifikált oszcillációk. Ha a bemeneti feszültség változik, a változás következik be, és az inverz feszültség közelében a pn átmenetet. Ennek eredményeként, a változás p-csatornás a kiürített réteg. Azaz, tulajdonképpen megváltoztatja a keresztmetszete, amelyen keresztül a többségi töltéshordozók.
Attól függően, hogy a funkciót, a készülék az elektródák a következő neveket:
- Elektróda forrás: előfordulása ezek zajlik a főcsatorna töltéshordozók.
- Elektróda Készlet: rajta keresztül a csatornán kilép a fő töltéshordozók.
- Kapu elektróda: beállítja a keresztmetszete a csatorna.
Channel maga is rendelkezik az egyik vezetőképességet. A vezetőképesség a térvezérlésű tranzisztorok egy „P” vagy „n” csatorna. előfeszültség, amelyek szállítják ezeket elektródák ellentétes polaritású.
Így a működési elve a FET nagyon hasonlít a munkát a vákuum trióda. A tranzisztor van egy katódot, egy anódot és egy rács, amelyek megfelelnek a forrás, lefolyó és kapu. Ugyanakkor a szerkezet a félvezető eszköz eltérő a jobb, és van egy nagy számú funkciókat.
Szigetelt kapu térvezérlésű tranzisztor
Ez a konstrukció a készülék azzal jellemezhető, egy szigetelő réteggel elválasztva a kapu és a csatorna. A szubsztrátum egy félvezető kristály, amelynek nagy a fajlagos ellenállása. Ez létrehoz egy domain vezetőképességű ellentétes az aljzatra. Ezeken a helyeken alkalmazzák a forrás és nyelő elektródák. Közöttük, a kristály felületén borított vékony dielektromos anyagú réteg. Másfelől, ez a bevonat réteg készül a harmadik fém elektróda - a zár.
Az eszköz szerkezete tartalmaz egy fém, dielektrikum és a félvezető (MIS). Ezért ezek az eszközök hívják MIS tranzisztorok.
MOS eszközök a következő besorolás:
- Indukált csatornát. Ezzel a struktúrával, nincs vezető csatorna között lefolyó és forrás. Ezért a megjelenése áram függ a polaritás a lefolyó, és a kapu küszöb feszültség összhangban a forrás.
- A beépített csatorna. Ebben az eszközben az érték nulla feszültség alatt van kialakítva a kapu a inverziós réteg egy összekötő csatorna a lefolyóba, és a forrás.
Így a térvezérlésű tranzisztorok közös működési elve, de a különböző tervezési funkciók, amelyek lehetővé teszik azok használatát a különböző területeken.