Rendeltetése FET feltételes grafikus jelöléssel FET
A kapcsolási rajzok találhatók jelölt térvezérlésű tranzisztor egy adott faj. A félreértések elkerülése érdekében, valamint hogy a legteljesebb képet, amit mindegy tranzisztort használ egy áramkörben hasonló feltételes grafikus jelöléssel unipoláris tranzisztor és sajátosságokra
A külföldi elektronikus áramköröket is látható, a következő jelöléssel következtetéseket unipoláris tranzisztorok:
Ismerve a külföldi elnevezések következtetéseket térvezérlésű tranzisztoros, akkor könnyű megérteni az import elektronikai áramkörök.
Kijelölése a vezérlő FET p-n - átmenet (J-FET).
Szóval Transistor kontroll p-n - átmenetet jelzi a diagramok az alábbiak szerint:
n-csatornás J-FET tranzisztor
p-csatornás J-FET tranzisztor
Attól függően, hogy a média típusa, amelyek a képez vezetőképes csatornát (a tartományban, amelyen keresztül folyik az állítható áram) adatok tranzisztorok lehetnek N-csatornás és p-csatornás. A grafikus jelöléssel látható, hogy az n-csatornás tranzisztorok vannak ábrázolva, egy nyíl befelé mutat, és a p-csatornás kifelé.
MISFET kijelölése.
Unipoláris TIR-típusú tranzisztorok (MOSFET) kissé eltérő feltételes grafikus jelöléssel, mint tranzisztor J-FET c ellenőrző p-n átmenetet. MOSFET tranzisztorok is lehetnek n-csatornás vagy p-csatornás.
MOSFET tranzisztorok kétfélék: beépített csatorna és az indukált csatornát.
A különbség az, hogy a tranzisztor csatorna indukált csak nyitja a kaput alkalmazásakor csak a pozitív vagy negatív feszültség küszöbérték. Küszöb feszültség (Upor) - közötti feszültség a kapu terminál és a forrás, ahol a térvezérlésű tranzisztor nyitva van, és rajta keresztül elkezd folyni a leeresztő aktuális (Ic).
A polaritás a küszöbfeszültség függ a csatorna típusú tranzisztor. A MIS tranzisztorok p-csatornás kell alkalmazni, hogy a kapu a negatív „-” feszültség, és egy tranzisztor n-csatornás pozitív „+” feszültség. MIS tranzisztorok indukált csatornás tranzisztorok is nevezik dúsított típusú. Ezért, ha hallja, mit mondanak a MIS tranzisztor dúsított típus - tudod, ez egy tranzisztor csatorna okozta. Az alábbiakban bemutatjuk a szimbólumot indukált csatorna tranzisztorok.
n-csatornás MOSFET tranzisztort
p-csatornás MOSFET tranzisztort
A fő különbség MISFET által indukált csatorna FET integrált csatorna az, hogy megnyit csak akkor, ha egy bizonyos értéket (U küszöb) pozitív vagy negatív feszültség (attól függően, hogy a csatorna típus - n vagy p).
Transistor azonos csatorna nyílik integrált már „0”, és amikor egy negatív gate-feszültség vobednonnom működési mód (ismét nyitva, de lehetővé teszi, hogy kevesebb áram). Ha a kapu alkalmazni a pozitív „+” feszültség, a tranzisztor továbbra is nyitott, és elmúlik egy úgynevezett dúsítás mód - drain áram növekedni fog. Ez a példa írja le, a művelet a TIR tranzisztor n-csatornás egy beépített csatornán. Tranzisztorok beépített csatorna is nevezik kimerült tranzisztor típusát. További látható sematikus áramkörök.
n-csatornás tranzisztor beépített TIR csatornán
TIR p-csatornás tranzisztor integrált csatorna
A hagyományos grafikus jelöléssel megkülönböztetni indukált csatornát tranzisztor a tranzisztor csatorna lehet integrálni a törés a függőleges vonal.
Néha a szakirodalom láthatjuk a kép egy MOS tranzisztor egy negyedik terminál, amely egy kiterjesztése a sor, a nyíl a csatorna típusát. Tehát a negyedik következtetés - a következtetés a hordozó (szubsztrát). Egy ilyen kép MOSFET általánosan használják, hogy leírja a diszkrét (azaz külön) a tranzisztor és a használt csak vizuális modell. A gyártás a MOS tranzisztor szubsztrát általában csatlakozik egy kiindulási végberendezéssel.
MOSFET tranzisztor, melynek szubsztrát terminál (szubsztrát)
A nagy teljesítményű MDS tranzisztorok, van egy funkció - ez a jelenléte a „parazita” bipoláris tranzisztor. Annak megakadályozása érdekében munka „parazita” bipoláris tranzisztor következő trükk használjuk: forrás terminál (ok) össze van kötve a hordozó (szubsztrátum). Tehát van kapcsolat a kimenet a bázis-emitter szerkezet „parazita” tranzisztor, és ez a zárt állapotban, és nem akadályozza a MISFET normál működés. A kiemelő, ez a funkció jelzi összekötő kimenete MOS tranzisztor forrás és egy nyíl jelzi a csatorna típusát.
Rendeltetése teljesítmény MOSFET
Az így kapott vegyület, a forrás és a szubsztrát a szerkezet között MOSFET forrás és a nyelő obrazuetsyavstroenny dióda. Ebben a munkában a tranzisztor dióda nem befolyásolja, hiszen benne van az áramkörben fordított irányba. Bizonyos esetekben a test dióda, amely következtében kialakult technológiai jellemzőit gyártási teljesítmény MOSFET lehet használni a gyakorlatban. A legújabb generációs, nagy teljesítményű MOSFET test dióda használják, hogy megvédje a tranzisztor.
MOSFET tranzisztor, integrált dióda
Beépített diódás kiemelő erős MIS tranzisztort és nem lehet meghatározni, de valójában egy dióda van jelen minden hatalom FET.
A portál a felhasználók számára kényelmes és hatékony szolgáltatást Services,
áttekintést ad a legújabb fejlesztéseket a területen az elektronika, valamint a technológiák
ebben az irányban. A portál összpontosít a terület az egykori FÁK.
Portál minden nap egyre több és több tele hasznos információkkal,
rendelkezésre álló technológiák és innovációk. Minden nap RADIODVOR.COM folytatódik
szaporodnak a közönség és a népszerűség.
portál Electronics
Az egész egykori FÁK